流降低了几个数量级，并降低了晶体管工作电压。它还指出了进一步改进的路径：进一步降低厚度。

而电流不会通过硅表面几纳米内的晶体管泄漏，因为那里的表面电势受到栅极电压的良好控制，这一概念，正是osfet进行互连建模在实验室进行复现后发现的。

周新不可能告诉胡正明，这是你自己发现的。

不过由于周新对于胡正明最重要的论文，都做过精读，对于当时是如何思考，有自己的分析。

这些分析和二十年后的老胡交流过程中，也获得了对方的认可。
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